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近年来，【磁约束】可控聚变技术的突破，最主要还是得归功于导材料的现。
导这个概念的本质就是实现材料电子的自由移动，即电阻为零，完全抗磁性。
现如【低温导】技术已经成熟，科学家们正在攻克的是【常温导】技术。
对于【常温导】所选用的材料，亦或是设计稿，近代被各科学们提出的很多，但受限于工业制备和实验条件，没有办法得到很好的展。
夏安花时间研究了一下【导材料】的展历程。
1911年，heike kamer-onnes在温度4.2k（-268.97c）时用液氦冷却汞时现汞的电阻为零，现了导电性规律。
1933年，菲尔德和迈斯纳现导体冷却达到转变温度时，不仅电阻完全消失，还会出现抗磁性：磁感线从导体中排出，不能通过导体。
1973年，科学家现了保持了近十三年记录，导转变温度为32.4k（-249.92c）的导合金——铌锗合金。
的温度障碍，临界温度为4ok（-235.15c）的导材料。
1987年，美国华裔科学家朱经武和中国科学家赵忠贤陆续把钇-钡-铜-氧转变温度提高到了9ok（-185.15c），从而现了高温导体材料，打破了液氮77k的“温度堡垒”。
1988年，日本实现了液氮温区导体的理想，研出了转变温度为11ok（-16的铊系化合物导材料和转变温度达零下14o.15c的汞系化合物导材料相继被现，高压条件下的汞转变温度能达到（-111.15c）。
2oo7年2月，日本东京工业大学细野秀雄教授和其合作者现了转变温度为（-251.15c）的氟掺杂镧氧铁砷化合物。
2oo8年3月25日和3月26日，中国科技大学陈晓辉研究组和中国物理所研究组现了突破麦克米兰极限温度，转变温度为（-233.15c）的非传统导材料。
2o14年，中国科学院物理研究所的程金光、雒建林等人现第一个cr基高压导体cras，临界温度为2 k（-271.15c），压力为 8 kbar。
2o15年4月，浙江大学系曹光旱研究组现第一种常压下的铬基砷化物导体k2cr3as3，临界温度为6.1k（-267.o5c）。同年，中国科学院物理研究所的程金光、雒建林等人现第一个mn基高压导体mnp，临界温度为（-272.15c）1 k，压力为 8 gpa。
2o15年，德国的a. p. drozdov和m. I. eremets宣布在硫化氢中现2o3 k导零电阻现象，但需要施加高压到22o万个大气压。这个数值突破了铜氧化物材料保持多年的（-1o9.15c）记录。
2o18年，美国的曹原和pab1o Jari11o-herrero现双层“魔转角”的石墨烯在门电压调控下可以出现1 k（-272.15c）左右的导电性。其中和导相关的物理特性与铜氧化物高温导非常类似，从而有可能在干净的二维材料中完美模拟高温导现象。
2o19年，德国的a. p. drozdov和m. I. eremets等宣布La-h化合物在15o万个大气压可以实现215k（-58.15c）的导电性，美国的m. somayazu1u研究组紧接着宣布Lah（-13.15c）以上的导，这是目前导临界温度的最高记录。
2o19年，美国斯坦福大学的h. hang和李丹枫等人在ndo.8sro.2nio2薄膜样品实现15 k（-258.15c）左右的导电性，第一个镍基导体宣布被现。
2o2o年12月，美国加州大学圣芭芭拉分校的s. d. i1son团队宣布在具有笼目结构的aV3sb5 (a = k， Rb， and cs)体系现2.5k（-27o.65c）左右导电性。
2o23年7月，中山大学物理学院王猛团队宣布在La3ni2o7单晶样品中现高压诱导的约8ok（-193.15c）导电性（压力为14 gpa），镍基导体临界温度正式突破了液氮温区。
恶补了【导】材料展历程的夏安，终于对这一项科技有了足够的认知。
【这玩意儿的研就是不断试错吧？！】
夏安感觉终于找到了自己的用武之地。
有什么能比自己的【虚拟引擎】更方便的试错工具么？至少夏安自己想不出来。
压力给到【材料部】经理夏国平，让其收集今年来热门的导材料分子结构式，然后夏安就开始模拟这些材料的导过程。
在放大导过程的模型后，夏安直观的感受到了导材料在导电过程中的情况。
肉眼不可见的电子就像一个个乒乓球，在原子之间弹来弹去。由于力的作用是相互的，在电子弹动的同时，电子中富含的能量会不可避免的向原子核传输。
积少成多之后，原子核在电子的推动下也开始了运动。而这种运动基本上来说都是无规则的，也就是所谓的布朗运动。
随着功率越大，布朗运动就越剧烈，材料整体的温度也会逐渐升高。
这，也正是【电阻】特性产生的原理。
